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首頁 - 分立半導體 -

RZM002P02T2L

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時間：2022-05-05 瀏覽次數(shù)：

產(chǎn)品屬性

類型描述

類別分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包裝卷帶（TR）

剪切帶（CT）

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 P 通道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 200mA（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 1.2 歐姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 1V @ 100μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 1.4 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值） ±10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 115 pF @ 10 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 150mW（Ta）

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型表面貼裝型

供應商器件封裝 VMT3

封裝/外殼 SOT-723

基本產(chǎn)品編號 RZM002

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