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AGM308SR

作者：網站管理員發布時間：2024-07-01 瀏覽次數：

芯控源AGM308SR詳情: 1個N溝道，1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續漏極電流(Id): 17A，功率(Pd): 83W

●產品概述

AGM308SR將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關和電池保護應用。

●產品特點

■ 先進的高電池密度溝槽技術 ■ 低導通電阻（ON），可將導電損耗降至最低 ■ 低柵極電荷，可實現快速開關 ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測試 ■ 100% DVDS 測試

●應用

■ MB/VGA Vcore ■ SMPS第二同步整流器 ■ POL應用 ■ BLDC電機驅動器

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芯控源AGM308SR詳情: 1個N溝道，1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續漏極電流(Id): 17A，功率(Pd): 83W

●產品概述

AGM308SR將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關和電池保護應用。

●產品特點

■ 先進的高電池密度溝槽技術 ■ 低導通電阻（ON），可將導電損耗降至最低 ■ 低柵極電荷，可實現快速開關 ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測試 ■ 100% DVDS 測試

●應用

■ MB/VGA Vcore ■ SMPS第二同步整流器 ■ POL應用 ■ BLDC電機驅動器

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芯控源AGM308SR詳情: 1個N溝道，1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續漏極電流(Id): 17A，功率(Pd): 83W

●產品概述

AGM308SR將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關和電池保護應用。

●產品特點

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●應用

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AGM308SR將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關和電池保護應用。

■ 先進的高電池密度溝槽技術 ■ 低導通電阻（ON），可將導電損耗降至最低 ■ 低柵極電荷，可實現快速開關 ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測試 ■ 100% DVDS 測試