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SSM3J331R,LF

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SSM3J331R MOSFET硅P溝道MOS（U-MOS）

●特性

■1.5V柵極驅(qū)動電壓
■低漏源導(dǎo)通電阻：
▲RDS（ON）=150 m?（最大值）（在VGS=-1.5 V時）
▲RDS（ON）=100 m?（最大值）（在VGS=-1.8 V時）
▲RDS（On）=75 m?（最大值）（VGS為-2.5 V時）

▲RDSON=55 M?（最大值）VGS為-4.5 V

●包裝和引腳設(shè)置

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